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BSP61	文件：198.23 Kbytes Page：10 Pages	丝印：BSP61；Package：SC-73；PNP Darlington transistor 1. General description PNP Darlington transistor in an SOT223 plastic package. NPN complement: BSP51 2. Features and benefits • High current of -1 A • Low voltage of -60 V • Integrated diode and resistor • AEC-Q101 qualified 3. Applications • Industrial switching applications such as: 文件：198.23 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSP61	文件：551.76 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BSP61；Package：SOT223；PNP Silicon Darlington Transistor 文件：551.76 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP61	文件：126.74 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNP Darlington transistor in a SOT223 plastic package. NPN complements: BSP50, BSP51 and BSP52. FEATURES • High current (max. 0.5 A) • Low voltage (max. 80 V) • Integrated diode and resistor. APPLICATIONS • Industrial switching applications such as: – Print hammer – Sol 文件：126.74 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
BSP61	文件：153.39 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) PNP Silicon Darlington Transistors ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BSP 50 … BSP 52 (NPN) 文件：153.39 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSP61	文件：62.16 Kbytes Page：8 Pages	PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNP Darlington transistor in a SOT223 plastic package. NPN complements: BSP50, BSP51 and BSP52. FEATURES • High current (max. 0.5 A) • Low voltage (max. 80 V) • Integrated diode and resistor. APPLICATIONS • Industrial switching applications such as: – Print hammer – Sol 文件：62.16 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BSP61	文件：78.05 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors PNP Silicon Darlington Transistor • High collector current • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BSP50...BSP52 (NPN) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：78.05 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP61	文件：103.93 Kbytes Page：7 Pages	PNP Silicon Darlington Transistor 文件：103.93 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP613P	文件：163.73 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated • Ideal for fast switching buck converter • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogenfree according to IE C61249221 文件：163.73 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP615S2L	文件：212.62 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level 文件：212.62 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP612P	文件：503.39 Kbytes Page：9 Pages	Enhancement mode 文件：503.39 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BSP61
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
350MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
H-99
vtest：
80
htest：
350000000
atest：
1.5
wtest：
1.5

技术参数

Polarity ：
PNP (Single)
VCEO max：
60.0V
Ptot max：
1500.0mW
hFE min：
2000.0
IC max：
1000.0mA
IC ：
1000.0mA
VCE ：
10.0V
VCBO max：
80.0V
VEBO max：
5.0V
ICM max：
2000.0mA
fT ：
200.0MHz
VCE(sat) max：
1.3V

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