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BSP613P	文件：163.73 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor SIPMOSSmall-Signal-Transistor Feature •P-Channel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingbuckconverter •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •HalogenfreeaccordingtoIEC61249221	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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BSP613P	文件：688.14 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP613P_07	文件：688.14 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP613P_16	文件：387.59 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS횘 Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CL613	文件：196.07 Kbytes Page：2 Pages	HeavycastaluminumtopcoverwithintegralLEDheatdissipatingpad	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS
CMN613	文件：76.97 Kbytes Page：1 Pages	788MHzBandRejectFilter	APITECH API Technologies Corp	APITECH
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CSD-613EG	文件：613.26 Kbytes Page：4 Pages	NUMERIC/ALPHANUMBERICDISPLAYGENERALINFORMATION	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

详细参数

型号：
BSP613P
功能描述：
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SIPMOS®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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