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BSP613P	文件：688.14 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：688.14 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP613P	文件：387.59 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS횘 Small-Signal-Transistor 文件：387.59 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP613P_07	文件：688.14 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：688.14 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP613P_16	文件：387.59 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS횘 Small-Signal-Transistor 文件：387.59 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP61	文件：300 bytes Page：1 Pages	达林顿管	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP613P	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP615S2L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Voltage MOSFETs - SOT223; 2.8 A; 55V; LL; 90mOhm	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP612PH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：SMALL SIGNAL+P-CH	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP615S2LHUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET SOT223-4	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSP61E6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223-4	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BSP61
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
350MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
H-99
vtest：
80
htest：
350000000
atest：
1.5
wtest：
1.5

技术参数

Polarity ：
PNP (Single)
VCEO max：
60.0V
Ptot max：
1500.0mW
hFE min：
2000.0
IC max：
1000.0mA
IC ：
1000.0mA
VCE ：
10.0V
VCBO max：
80.0V
VEBO max：
5.0V
ICM max：
2000.0mA
fT ：
200.0MHz
VCE(sat) max：
1.3V

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