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BSS100	文件：79.96 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSS100	文件：284.54 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS101	文件：79.15 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS

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BSS100

文件：79.96 Kbytes

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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

•Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS

BSS100

文件：284.54 Kbytes

Page：10 Pages

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

BSS101

文件：79.15 Kbytes

Page：7 Pages

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

•Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS

详细参数

型号：
BSS10
功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	BSS100	FAIRCHILD	05+	TO-92	2560		询价
鑫勃源（上海北京青岛）有限公司	BSS100	SIEMENS	23+	标准封装	18000		询价
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更多BSS10供应商更新时间2024-4-29 10:50:00

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