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BSR40	文件：125.8 Kbytes Page：7 Pages	NPN medium power transistors DESCRIPTION NPN medium power transistor in a SOT89 plastic package. PNP complements: BSR30; BSR31 and BSR33. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Thick and thin-film circuits • Telephony and general industrial applications. 文件：125.8 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
BSR40	文件：137.98 Kbytes Page：3 Pages	丝印：AR1；Package：SOT-89；NPN medium power Transistors FEATURES ● High current(max.1A). ● Low voltage(max.80V). ● Thick and thin-film circuits. ● Telephony and general industrial applications. ● NPN complements:BSR30,BSR31 and BSR33. 文件：137.98 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BSR40	文件：40.46 Kbytes Page：2 Pages	NPN Medium Power Transistors Features High current (max. 1 A) Low voltage (max. 80 V). 文件：40.46 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSR40	文件：371.92 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High current(max.1A) • Low voltage(max.80V) • Thick and thin-film circuits. • Telephony and general industrial applications. • NPN complements:BSR30, BSR31 and BSR33. 文件：371.92 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
BSR40	文件：16.79 Kbytes Page：1 Pages	SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：16.79 Kbytes 页数：1 Pages	Zetex	Zetex
BSR40	文件：41.79 Kbytes Page：8 Pages	NPN medium power transistors DESCRIPTION NPN medium power transistor in a SOT89 plastic package. PNP complements: BSR30; BSR3 and BSR33. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Thick and thin-film circuits • Telephony and general industrial applications. 文件：41.79 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BSR40	文件：27.09 Kbytes Page：1 Pages	SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：27.09 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSR40-AR1	文件：16.79 Kbytes Page：1 Pages	SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：16.79 Kbytes 页数：1 Pages	Zetex	Zetex
BSR40	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN medium power transistors DESCRIPTION\nNPN medium power transistor in a SOT89 plastic package. PNP complements: BSR30; BSR31 and BSR33.FEATURES\n• High current (max. 1 A)\n• Low voltage (max. 80 V).APPLICATIONS\n• Thick and thin-film circuits\n• Telephony and general industrial applications. • High current (max. 1 A)\n• Low voltage (max. 80 V).;	恩XP	恩XP
BSR40	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy

晶体管资料

型号：
BSR40
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_开关管
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
β>40
图片代号：
H-100
vtest：
70
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
NPN
V(BR)CEO(V)min.：
60
IC(A)：
1
hFEmin.：
40
hFEmax.：
120
VCE (sat)(V)：
0.5
IB(mA)：
50
fT(MHz)min.：
100
PD(W)max.：
1.35
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-65
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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