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BF1009S	文件：51.89 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 9V • Integrated bias network 文件：51.89 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1009S	文件：251.35 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stage up to 1 GHz • Operating voltage 9 V • Integrated biasing network • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：251.35 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1009SR	文件：251.35 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stage up to 1 GHz • Operating voltage 9 V • Integrated biasing network • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：251.35 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1009SW	文件：48.45 Kbytes Page：4 Pages	丝印：JLs；Package：SOT343；Silicon N-Channel MOSFET Tetrode For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network 文件：48.45 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1012	文件：33.42 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias network Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 12V • Integrated stabilized bias network 文件：33.42 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1012S	文件：43.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V • Integrated stabilized bias network 文件：43.75 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1012W	文件：359.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz) SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE • For low-noise, gain-controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 12V • Integrated bias Network 文件：359.34 Kbytes 页数：3 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1100	文件：311.53 Kbytes Page：15 Pages	Dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT143 or SOT143R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC. FEATURES • Sp 文件：311.53 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BF1100	文件：159.54 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT143 or SOT143R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC. FEATURES • Sp 文件：159.54 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
BF1100R	文件：159.54 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT143 or SOT143R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC. FEATURES • Sp 文件：159.54 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI

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技术参数

IDpuls(@25°C) max：
60 A
QG：
5.2 nC
RSS (on) typmax：
6 mΩ
VDDmax：
40 V
VDSmax：
40 V
Mounting：
SMT
ISS(@25°C) max：
14 A
ISS puls(@25°C) max：
60 A
Generation：
G3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市煦洪科技有限公司	IGK080B041S	Infineon/英飞凌	25+	原厂封装	10280	原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！	询价
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深圳市力仕科电子科技有限公司	IGLD60R070D1	Infineon/英飞凌	25	PG-LSON-8-1	6000	原装正品	询价

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