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BF1009S	文件：251.35 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolled inputstageupto1GHz •Operatingvoltage9V •Integratedbiasingnetwork •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF1009SR	文件：251.35 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolled inputstageupto1GHz •Operatingvoltage9V •Integratedbiasingnetwork •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF1009SW	文件：48.45 Kbytes Page：4 Pages	Marking：JLs；Package：SOT343；Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Forlownoise,highgaincontrolled inputstagesupto1GHz Operatingvoltage9V Integratedbiasnetwork	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF1012	文件：33.42 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias network SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage12V •Integratedstabilizedbiasnetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1012S	文件：43.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Integratedstabilizedbiasnetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1012W	文件：359.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz) SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE •Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage12V •IntegratedbiasNetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1100	文件：159.54 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Sp	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF1100R	文件：159.54 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Sp	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF1100WR	文件：146.38 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FET DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Special	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF1101	文件：128.13 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION EnhancementtypeN-channelfield-effecttransistorwithsourceandsubstrateinterconnected.Integrateddiodesbetweengatesandsourceprotectagainstexcessiveinputvoltagesurges.TheBF1101,BF1101RandBF1101WRareencapsulatedintheSOT143B,SOT143RandSOT343Rplasticpackage	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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产品属性

产品编号：
BF199
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
1.1GHz
功率 - 最大值：
350mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
38 @ 7mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3

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更多BF1供应商更新时间2025-7-20 10:50:00

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