BF1009S分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号	BF1009S
参数属性	BF1009S 封装/外壳为SOT-143R；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
功能描述	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
封装外壳	SOT-143R
文件大小	251.35 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	INFINEON
中文名称	英飞凌
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-2-3 20:37:00
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BF1009S规格书详情

BF1009S属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BF1009S晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

• For low noise, high gain controlled

input stage up to 1 GHz

• Operating voltage 9 V

• Integrated biasing network

• Pb-free (RoHS compliant) package1)

• Qualified according AEC Q101

产品属性

产品编号：
BF1009SRE6327HTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
带
晶体管类型：
N 通道
频率：
800MHz
增益：
22dB
额定电流（安培）：
25mA
噪声系数：
1.4dB
封装/外壳：
SOT-143R
供应商器件封装：
PG-SOT-143R-3D
描述：
MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R

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