BF1009S分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BF1009S属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BF1009S晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

• For low noise, high gain controlled

input stage up to 1 GHz

• Operating voltage 9 V

• Integrated biasing network

• Pb-free (RoHS compliant) package1)

• Qualified according AEC Q101