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BF1100	文件：159.54 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT143 or SOT143R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC. FEATURES • Sp 文件：159.54 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
BF1100	文件：311.53 Kbytes Page：15 Pages	Dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT143 or SOT143R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC. FEATURES • Sp 文件：311.53 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BF1100	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual-gate MOS-FETs	恩XP	恩XP
BF1100R	文件：159.54 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT143 or SOT143R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC. FEATURES • Sp 文件：159.54 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
BF1100R	文件：311.53 Kbytes Page：15 Pages	Dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT143 or SOT143R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC. FEATURES • Sp 文件：311.53 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BF1100WR	文件：146.38 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FET DESCRIPTION Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT343R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC. FEATURES • Special 文件：146.38 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
BF1100WR	文件：471.96 Kbytes Page：16 Pages	Dual-gate MOS-FET FEATURES  Specially designed for use at 9 to 12 V supply voltage  Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio  Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz  Superior cross-modulation performance during AGC. APPLICATIONS  VHF and UHF appl 文件：471.96 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
BF1100_15	文件：115.02 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FETs 文件：115.02 Kbytes 页数：14 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF1100_2015	文件：115.02 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FETs 文件：115.02 Kbytes 页数：14 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF1100WR_15	文件：106.65 Kbytes Page：14 Pages	Dual-gate MOS-FET 文件：106.65 Kbytes 页数：14 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

技术参数

功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BF1100	恩XP	25+	SOT-143	20300	NXP/恩智浦原装特价BF1100即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	BF1100	恩XP	2025+	SOT-143	5000	原装进口价格优请找坤融电子!	询价
深圳市一线半导体有限公司	BF1100	恩XP	24+	SOT-143SOT-23-4	10700	新进库存/原装	询价
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深圳市振宏微科技有限公司	BF1100	SOT-143	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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更多BF1100供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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