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AAT1108	文件：190.32 Kbytes Page：11 Pages	2-CHANNELSTEP-UPPWMCONTROLLERSWITHADJUSTABLELDO	AATAdvanced Analog Technology, Inc. 台灣類比科技股份公司
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ADA1108P	文件：120.39 Kbytes Page：1 Pages	8DiodeArray	AMMSEMI American Microsemiconductor
ADP1108	文件：234.49 Kbytes Page：12 Pages	MicropowerDC-DCConverterAdjustableandFixed3.3V,5V,12V GENERALDESCRIPTION TheADP1108isahighlyversatilemicropowerswitch-modedc-dcconverterthatoperatesfromaninputvoltagesupplyaslowas2.0Vandtypicallystartsupfrom1.8V. FEATURES OperatesatSupplyVoltagesFrom2.0Vto30V ConsumesOnly110mASupplyCurrent S	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADP1108AN	文件：234.49 Kbytes Page：12 Pages	MicropowerDC-DCConverterAdjustableandFixed3.3V,5V,12V GENERALDESCRIPTION TheADP1108isahighlyversatilemicropowerswitch-modedc-dcconverterthatoperatesfromaninputvoltagesupplyaslowas2.0Vandtypicallystartsupfrom1.8V. FEATURES OperatesatSupplyVoltagesFrom2.0Vto30V ConsumesOnly110mASupplyCurrent S	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADP1108AR	文件：234.49 Kbytes Page：12 Pages	MicropowerDC-DCConverterAdjustableandFixed3.3V,5V,12V GENERALDESCRIPTION TheADP1108isahighlyversatilemicropowerswitch-modedc-dcconverterthatoperatesfromaninputvoltagesupplyaslowas2.0Vandtypicallystartsupfrom1.8V. FEATURES OperatesatSupplyVoltagesFrom2.0Vto30V ConsumesOnly110mASupplyCurrent S	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ALD1108E	文件：77.21 Kbytes Page：10 Pages	QUAD/DUALELECTRICALLYPROGRAMMABLEANALOGDEVICE(EPAD?? GENERALDESCRIPTION ALD1108E/ALD1110Earemonolithicquad/dualEPADs(ElectricallyProgrammableAnalogDevice)thatutilizeCMOSMOSFETwithelectricallyprogrammablethresholdvoltage.Foragiveninputvoltage,changingthethresholdturn-onvoltageofaMOSFETdevicepreciselychangesitsdrain	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司
ALD1108E	文件：146.73 Kbytes Page：14 Pages	QUAD/DUALELECTRICALLYPROGRAMMABLEANALOGDEVICE(EPAD?? GENERALDESCRIPTION ALD1108E/ALD1110Earemonolithicquad/dualEPAD®(Electrically ProgrammableAnalogDevice)N-channelMOSFETswithelectrically adjustablethreshold(turn-on)voltage.TheALD1108E/ALD1110Eare matchedandadjusted(e-trimmed)atthefactoryresultinginquad/dual MOSFETst	ADLAdvanced Digital Logic, Inc. Advanced Digital Logic, Inc.
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ALD1108EPC	文件：18.41 Kbytes Page：2 Pages	EPAD짰PRODUCTSELECTIONGUIDE	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司
ALD1108EPCL	文件：146.73 Kbytes Page：14 Pages	QUAD/DUALELECTRICALLYPROGRAMMABLEANALOGDEVICE(EPAD?? GENERALDESCRIPTION ALD1108E/ALD1110Earemonolithicquad/dualEPAD®(Electrically ProgrammableAnalogDevice)N-channelMOSFETswithelectrically adjustablethreshold(turn-on)voltage.TheALD1108E/ALD1110Eare matchedandadjusted(e-trimmed)atthefactoryresultinginquad/dual MOSFETst	ADLAdvanced Digital Logic, Inc. Advanced Digital Logic, Inc.
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ALD1108ESC	文件：18.41 Kbytes Page：2 Pages	EPAD짰PRODUCTSELECTIONGUIDE	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司
ALD1108ESC	文件：77.21 Kbytes Page：10 Pages	QUAD/DUALELECTRICALLYPROGRAMMABLEANALOGDEVICE(EPAD?? GENERALDESCRIPTION ALD1108E/ALD1110Earemonolithicquad/dualEPADs(ElectricallyProgrammableAnalogDevice)thatutilizeCMOSMOSFETwithelectricallyprogrammablethresholdvoltage.Foragiveninputvoltage,changingthethresholdturn-onvoltageofaMOSFETdevicepreciselychangesitsdrain	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司
ALD1108ESCL	文件：146.73 Kbytes Page：14 Pages	QUAD/DUALELECTRICALLYPROGRAMMABLEANALOGDEVICE(EPAD?? GENERALDESCRIPTION ALD1108E/ALD1110Earemonolithicquad/dualEPAD®(Electrically ProgrammableAnalogDevice)N-channelMOSFETswithelectrically adjustablethreshold(turn-on)voltage.TheALD1108E/ALD1110Eare matchedandadjusted(e-trimmed)atthefactoryresultinginquad/dual MOSFETst	ADLAdvanced Digital Logic, Inc. Advanced Digital Logic, Inc.
ALD1108ESCL	文件：146.73 Kbytes Page：14 Pages	QUAD/DUALELECTRICALLYPROGRAMMABLEANALOGDEVICE(EPAD??	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司
APL1108P	文件：104.12 Kbytes Page：4 Pages	ShieldedConstruction-DIP/APLSeries ■Feature 1.Ultralowcost. 2.Shieldedconstruction. 3.HighcurrentratinguptoDC40Amp. 4.Highfrequencyrangeupto1.0MHz. 5.VerylowDCresistance. 6.Alllead-free.(RoHS)	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商

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详细参数

型号：
BF1108,215
功能描述：
射频MOSFET小信号晶体管 Single N-CH 7V 10mA 4 LEADS
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Dual Dual Gate
晶体管极性：
N-Channel 电阻汲极/源极
汲极/源极击穿电压：
6 V
闸/源击穿电压：
6 V
漏极连续电流：
30 mA
功率耗散：
180 mW
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-88
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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