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BF1100WR中文资料PDF规格书

BF1100WR
厂商型号

BF1100WR

参数属性

BF1100WR 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R

功能描述

Dual-gate MOS-FET

文件大小

146.38 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 ROYAL PHILIPS
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-25 20:00:00

BF1100WR规格书详情

DESCRIPTION

Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT343R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC.

FEATURES

• Specially designed for use at 9 to 12 V supply voltage

• Short channel transistor with high forward transfer

admittance to input capacitance ratio

• Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz

• Superior cross-modulation performance during AGC.

APPLICATIONS

• VHF and UHF applications such as television tuners and

professional communications equipment.

产品属性

  • 产品编号:

    BF1100WR,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    N 通道双门

  • 频率:

    800MHz

  • 额定电流(安培):

    30mA

  • 噪声系数:

    2dB

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    CMPAK-4

  • 描述:

    MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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