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BF1012S	文件：43.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Integratedstabilizedbiasnetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1012W	文件：359.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE(Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE •Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage12V •IntegratedbiasNetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
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BGM1012	文件：87.98 Kbytes Page：12 Pages	MMICwidebandamplifier	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BM1012LF	文件：162.38 Kbytes Page：1 Pages	DCCOMMONMODECHOKES OUTLINE(UU9TF) 1.DCcommonmodechokes FEATURES 1.Smallsize,inexpensivetype 2.ItiseffectivetothenoisecountermeasureforDClinenoiseandimmunityformulti-functiontelephone,PBXandFAX. APPLICATION 1.Multifunctiontelephone 2.PBX 3.FAX FEATURES	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA

详细参数

型号：
BF1012S
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode(For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network)

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更多BF1012S供应商更新时间2025-7-14 13:40:00

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