选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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NEXPSOP |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEXPSOT363 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NEXPSOT363 |
6000 |
2007+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦SOT-363 |
24000 |
2007+PB |
原装正品 可含税交易 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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NEXPSOT363 |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
3000 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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PHILIPSSMD |
20000 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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NEXPSOT363 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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NXP/PHILIPSSOT-363SC70-6 |
19900 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOT-363NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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NEXPSOT363 |
354000 |
22+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NEXPNA/ |
6000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市毅创弘电子科技有限公司11年
留言
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NXPSOT363 |
66800 |
23+ |
只上传原装现货 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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NXPSOT363 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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NXPSOT363 |
200000 |
2007+PB |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NXP恩智浦/PHILIPS飞利浦SOT-363SOT-323-6 |
18200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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PHISOT363 |
12300 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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原装NXP/PHILIPSSOT-363 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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BF1102R价格
BF1102R价格:¥0.4550品牌:NXP/PHILIPS
生产厂家品牌为NXP/PHILIPS的BF1102R多少钱,想知道BF1102R价格是多少?参考价:¥0.4550。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BF1102R批发价格及采购报价,BF1102R销售排行榜及行情走势,BF1102R报价。
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更多BF1102R功能描述:Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102R T/R功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1102R,115功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1102R,135功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel