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BF1012	文件：33.42 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias network Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 12V • Integrated stabilized bias network 文件：33.42 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1012	文件：300 bytes Page：1 Pages	DC input,High Vceo,Creepage distance>8mm	BFSEMI 毕方	BFSEMI
BF1012	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias network	Infineon 英飞凌	Infineon
BF1012S	文件：43.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V • Integrated stabilized bias network 文件：43.75 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1012W	文件：359.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz) SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE • For low-noise, gain-controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 12V • Integrated bias Network 文件：359.34 Kbytes 页数：3 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1012W	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz)	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Status：
Active
Viso(Vrms)：
5000
VCEO(V)：
80
CTR min(%)：
63
CTR max(%)：
125
TEST If(mA)：
10
Package：
LSOP4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BF1012供应商更新时间2025-12-1 9:03:00

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