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BF1009SR	文件：251.35 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolled inputstageupto1GHz •Operatingvoltage9V •Integratedbiasingnetwork •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF1009SR	文件：84.46 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF1009SRE6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带封装/外壳：SOT-143R 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
1009C	文件：109.19 Kbytes Page：2 Pages	PulseTransformers	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
A1009	文件：1.77947 Mbytes Page：24 Pages	DesolderingTool InstructionManual  ThankyouforpurchasingtheHAKKO475desolderingtool.PleasereadthismanualbeforeoperatingtheHAKKO475.Keepthismanualreadilyaccessibleforreference.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
AC1009S	文件：425.43 Kbytes Page：1 Pages	10/15WATTOPENFRAMEAC-DCMODULES Features •UniversalInput85-264Vac •ConductiveEMIMeetsCISPR/FCCClassB •HighEfficencyat82Typical •PCBMountable	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
ADMV1009	文件：435.06 Kbytes Page：23 Pages	12.7GHzto15.4GHz,GaAs,MMIC,UpperSideband,DifferentialUpconverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADMV1009AEZ	文件：435.06 Kbytes Page：23 Pages	12.7GHzto15.4GHz,GaAs,MMIC,UpperSideband,DifferentialUpconverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADMV1009-EVALZ	文件：435.06 Kbytes Page：23 Pages	12.7GHzto15.4GHz,GaAs,MMIC,UpperSideband,DifferentialUpconverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AMP1009	文件：575.93 Kbytes Page：2 Pages	MOTION-DETECTINGSENSOR	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AMS1009	文件：41.9 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEREFERENCEDIODE	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS1009	文件：35.47 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEREFERENCEDIODE GENERALDESCRIPTION TheAMS1009isaprecisionband-gapvoltagereferencediode.Thisvoltagereferencefeaturesaverylowdynamicimpedanceandgoodtemperaturecoefficient,operatingoverawidecurrentrangeof400µAto10mA.On-chiptrimmingisusedtoprovidetighttoleranceandminimizete	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS1009A	文件：35.47 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEREFERENCEDIODE GENERALDESCRIPTION TheAMS1009isaprecisionband-gapvoltagereferencediode.Thisvoltagereferencefeaturesaverylowdynamicimpedanceandgoodtemperaturecoefficient,operatingoverawidecurrentrangeof400µAto10mA.On-chiptrimmingisusedtoprovidetighttoleranceandminimizete	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS1009AN	文件：35.47 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEREFERENCEDIODE GENERALDESCRIPTION TheAMS1009isaprecisionband-gapvoltagereferencediode.Thisvoltagereferencefeaturesaverylowdynamicimpedanceandgoodtemperaturecoefficient,operatingoverawidecurrentrangeof400µAto10mA.On-chiptrimmingisusedtoprovidetighttoleranceandminimizete	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS1009AN	文件：41.9 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEREFERENCEDIODE	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS1009AS	文件：35.47 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEREFERENCEDIODE GENERALDESCRIPTION TheAMS1009isaprecisionband-gapvoltagereferencediode.Thisvoltagereferencefeaturesaverylowdynamicimpedanceandgoodtemperaturecoefficient,operatingoverawidecurrentrangeof400µAto10mA.On-chiptrimmingisusedtoprovidetighttoleranceandminimizete	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS1009AS	文件：41.9 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEREFERENCEDIODE	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS1009B	文件：35.47 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEREFERENCEDIODE GENERALDESCRIPTION TheAMS1009isaprecisionband-gapvoltagereferencediode.Thisvoltagereferencefeaturesaverylowdynamicimpedanceandgoodtemperaturecoefficient,operatingoverawidecurrentrangeof400µAto10mA.On-chiptrimmingisusedtoprovidetighttoleranceandminimizete	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS1009BN	文件：41.9 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEREFERENCEDIODE	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AMS1009BN	文件：35.47 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEREFERENCEDIODE GENERALDESCRIPTION TheAMS1009isaprecisionband-gapvoltagereferencediode.Thisvoltagereferencefeaturesaverylowdynamicimpedanceandgoodtemperaturecoefficient,operatingoverawidecurrentrangeof400µAto10mA.On-chiptrimmingisusedtoprovidetighttoleranceandminimizete	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS

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详细参数

型号：
BF1009SR
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	BF1009SR	Infineon/英飞凌	2019+	SOT143	36000	原盒原包装可BOM配套	询价
深圳市广弘电子有限公司	BF1009SR	INFINEON/英飞凌	20+	SOT-143	5500	代理库存,房间现货,有挂就是现货	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	BF1009SR	INFINEON/英飞凌	22+	SOT143	163000	一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	BF1009SR	INF	2017+	SOT-143	45896	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	BF1009SR	INF	2022+	SOT-143	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	BF1009SR	INFINEON	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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更多BF1009SR供应商更新时间2024-4-28 16:04:00

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