BF1009SR数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

描述 Description

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
• For low noise, high gain controlled
   input stage up to 1 GHz
• Operating voltage 9 V
• Integrated biasing network
• Pb-free (RoHS compliant) package1)
• Qualified according AEC Q101

简介

BF1009SR属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BF1009SR晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。