BF1009S中文资料RF-MOSFET - integrated full biasing network, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet on demand数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
BF1009S |
| 参数属性 | BF1009S 封装/外壳为SOT-143R；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R |
| 功能描述 | RF-MOSFET - integrated full biasing network, VDS=9V, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet on demand |
| 封装外壳 | SOT-143R |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 12:26:00 |
| 人工找货 | BF1009S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BF1009S规格书详情
简介
BF1009S属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BF1009S晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
BF1009SRE6327HTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
N 通道
- 频率：
800MHz
- 增益：
22dB
- 额定电流（安培）：
25mA
- 噪声系数：
1.4dB
- 封装/外壳：
SOT-143R
- 供应商器件封装：
PG-SOT-143R-3D
- 描述：
MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
25+ |
SOT143 |
810 |
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询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT23-4 |
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INFINEON/英飞凌 |
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360000 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SOT-143 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-143 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SOT146 |
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询价 | ||
INFINEON |
21+ |
SOT143 |
2950 |
询价 | |||
原装INFINEON |
1922+ |
SOT143 |
6800 |
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