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IGK080B041S	文件：8.65594 Mbytes Page：7 Pages	丝印：BF1；Package：SG-UFWLB-16；(TM) CoolGaN Bidirectional Transistor 40 V G3 Features • E-mode bidirectional transistor - normally OFF switch • Drain-to-Drain configuration • Bidirectional blocking capability • Low on-resistance, low gate charge, low output charge • Qualified according to JEDEC for target applications 文件：8.65594 Mbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF1005	文件：252.08 Kbytes Page：5 Pages	丝印：MZs；Package：SOT-143；Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz •Operating voltage 5V •Integrated biasing network •Pb-free (RoHS compliant) package1) •Qualified according AEC Q101 文件：252.08 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF1005	文件：51.96 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz •Operating voltage 5V •Integrated stabilized bias network 文件：51.96 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1005R	文件：252.08 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz •Operating voltage 5V •Integrated biasing network •Pb-free (RoHS compliant) package1) •Qualified according AEC Q101 文件：252.08 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF1005S	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz •Operating voltage 5 V •Integrated biasing network •Pb-free (RoHS compliant) package1) •Qualified according AEC Q101 文件：252.41 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF1005S	文件：52.96 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz •Operating voltage 5V •Integrated stabilized bias network 文件：52.96 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1005SR	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz •Operating voltage 5 V •Integrated biasing network •Pb-free (RoHS compliant) package1) •Qualified according AEC Q101 文件：252.41 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF1005SW	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz •Operating voltage 5 V •Integrated biasing network •Pb-free (RoHS compliant) package1) •Qualified according AEC Q101 文件：252.41 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF1005W	文件：252.08 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz •Operating voltage 5V •Integrated biasing network •Pb-free (RoHS compliant) package1) •Qualified according AEC Q101 文件：252.08 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF1009	文件：36.16 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 9 V • Integrated stabilized bias network 文件：36.16 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS

技术参数

IDpuls(@25°C) max：
60 A
QG：
5.2 nC
RSS (on) typmax：
6 mΩ
VDDmax：
40 V
VDSmax：
40 V
Mounting：
SMT
ISS(@25°C) max：
14 A
ISS puls(@25°C) max：
60 A
Generation：
G3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市煦洪科技有限公司	IGK080B041S	Infineon/英飞凌	25+	原厂封装	10280	原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！	询价
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更多BF1供应商更新时间2025-12-23 15:16:00

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