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BF1005	文件：252.08 Kbytes Page：5 Pages	丝印：MZs；Package：SOT-143；Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz •Operating voltage 5V •Integrated biasing network •Pb-free (RoHS compliant) package1) •Qualified according AEC Q101 文件：252.08 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1005	文件：51.96 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz •Operating voltage 5V •Integrated stabilized bias network 文件：51.96 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1005	文件：84.5 Kbytes Page：8 Pages	丝印：MZs；Package：SOT-143；Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 文件：84.5 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1005	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode•For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz\n•Operating voltage 5V\n•Integrated biasing network\n•Pb-free (RoHS compliant) package1)\n•Qualified according AEC Q101	Infineon 英飞凌	Infineon
BF1005	文件：300 bytes Page：1 Pages	LED驱动电源方案产品	BYD 比亚迪半导体	BYD
BF1005	文件：300 bytes Page：1 Pages	LED驱动IC芯片	CXW 诚芯微科技	CXW
BF1005R	文件：252.08 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz •Operating voltage 5V •Integrated biasing network •Pb-free (RoHS compliant) package1) •Qualified according AEC Q101 文件：252.08 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1005S	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz •Operating voltage 5 V •Integrated biasing network •Pb-free (RoHS compliant) package1) •Qualified according AEC Q101 文件：252.41 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1005S	文件：52.96 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz •Operating voltage 5V •Integrated stabilized bias network 文件：52.96 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1005SR	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz •Operating voltage 5 V •Integrated biasing network •Pb-free (RoHS compliant) package1) •Qualified according AEC Q101 文件：252.41 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

输出电压(V)：
可调
输出电流(A)：
可调
功率（W)：
36W
封装形式：
SOT23-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BF1005供应商更新时间2026-4-19 22:58:00

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