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BF1005中文资料Silicon N-Channel MOSFET Tetrode数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BF1005

参数属性

BF1005 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143

封装外壳

TO-253-4,TO-253AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:12:00

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BF1005规格书详情

描述 Description

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode•For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz
•Operating voltage 5V
•Integrated biasing network
•Pb-free (RoHS compliant) package1)
•Qualified according AEC Q101

简介

BF1005属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BF1005晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BF1005SE6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    N 通道

  • 频率:

    800MHz

  • 增益:

    22dB

  • 额定电流(安培):

    25mA

  • 噪声系数:

    1.6dB

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT-143-3D

  • 描述:

    MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143

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