BF1005中文资料Silicon N-Channel MOSFET Tetrode数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
BF1005 |
参数属性 | BF1005 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 |
功能描述 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
封装外壳 | TO-253-4,TO-253AA |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 16:12:00 |
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BF1005规格书详情
描述 Description
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode•For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz
•Operating voltage 5V
•Integrated biasing network
•Pb-free (RoHS compliant) package1)
•Qualified according AEC Q101
简介
BF1005属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BF1005晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号:
BF1005SE6327HTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
带
- 晶体管类型:
N 通道
- 频率:
800MHz
- 增益:
22dB
- 额定电流(安培):
25mA
- 噪声系数:
1.6dB
- 封装/外壳:
TO-253-4,TO-253AA
- 供应商器件封装:
PG-SOT-143-3D
- 描述:
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ACX |
23+ |
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130020 |
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