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BF1009	文件：36.16 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 9 V • Integrated stabilized bias network 文件：36.16 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1009	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode for ...	Infineon 英飞凌	Infineon
BF1009S	文件：51.89 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 9V • Integrated bias network 文件：51.89 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF1009S	文件：251.35 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stage up to 1 GHz • Operating voltage 9 V • Integrated biasing network • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：251.35 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1009SR	文件：251.35 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stage up to 1 GHz • Operating voltage 9 V • Integrated biasing network • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：251.35 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1009SW	文件：48.45 Kbytes Page：4 Pages	丝印：JLs；Package：SOT343；Silicon N-Channel MOSFET Tetrode For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network 文件：48.45 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1009S	文件：84.46 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 文件：84.46 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BF1009S_07	文件：84.46 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 文件：84.46 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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BF1009SR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode• For low noise, high gain controlled\n input stage up to 1 GHz\n• Operating voltage 9 V\n• Integrated biasing network\n• Pb-free (RoHS compliant) package1)\n• Qualified according AEC Q101	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
BF1009
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode(For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9 V Integrated stabilized bias network

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