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BD640CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD640CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD640CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •F	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD640CT	文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BFP640	文件：272.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor •HighgainlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •IdealforCDMAandWLANapplications •OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：1.36937 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor •HighgainlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •IdealforCDMAandWLANapplications •OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor •HighgainlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •IdealforCDMAandWLANapplications •OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.88251 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.59951 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640F	文件：190.83 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor ProductBrief TheBFP640FislinearverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCE=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640F	文件：249.33 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640F	文件：1.4354 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640FESD	文件：1.64277 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP640FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY640	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY640B	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BLV640	文件：438.86 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BRD640	文件：1.18135 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRUS640	文件：58.03 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	BC640其他电力半导体器件	NXP/恩智浦	23+	TO92	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市吉银科技有限公司	BC640其他电力半导体器件	NXP/恩智浦	1535+		26999		询价
深圳廊盛科技有限公司	BC640其他电力半导体器件	NXP/恩智浦	2022	TO92	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市熠灿电子科技有限公司	BC640其他电力半导体器件	NXP/恩智浦	23+		26999	全新原装，欢迎来电咨询	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	BC646BDW1T1	LRC	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BC651	JXK/杰信科	23+	TO-92	999999	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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更多BC640其他电力半导体器件供应商更新时间2024-9-25 11:00:00

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