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BC858W	文件：132.78 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion. ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC858W	文件：50.22 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC858W	文件：278.56 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC858W	文件：91.32 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS VOLTAGE30/45/65VoltsCURRENT200mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Complimentary(NPN)Devices:BC846W/BC847W/BC848W/BC849WSeries •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC858W	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC858W	文件：870.05 Kbytes Page：5 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC858W	文件：614.03 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC858W	文件：870.05 Kbytes Page：5 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC858W	文件：248.77 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ForComplementaryWithNPNTypeBC846W/847W/848W	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC858W	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

详细参数

型号：
BC858W
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BC858W	NEXPERIA/安世	25+	SOT-323	600000	NEXPERIA/安世全新特价BC858W即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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