NPN Silicon Germanium RF Transistor

Product Brief The BFP640F is linear very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCE = 4.1 V and currents up to IC = 50 mA

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NPN Silicon Germanium RF Transistor

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Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

Product Brief The BFP640FESD is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.1 V and currents up to IC = 50 mA.

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NPN Silicon Germanium RF Transistor

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Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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低噪声RF 管基

NPN硅锗射频晶体管 • 高增益低噪声射频晶体管\n• 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用\n• 高最大稳定增益：Gms = 23 dB (1.8 GHz)\n• 70 GHz fT-硅锗技术\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装;

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低噪声RF 管基

BFP640FESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，采用塑料薄小扁平 4 针双发射极封装，带有可见引线。该设备配有内部保护电路，大大增强了对 ESD 和高 RF 输入功率的抵抗能力。该设备结合了坚固性、非常高的射频增益和低工作电流下的最低噪声系数，可用于广泛的无线应用。BFP640FESD 特别适合便携式电池供电应用，因为降低功耗是该类应用的关键要求。设备设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。 • 基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器\n• 最大射频输入功率高达 21 dBm\n• 1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 28.5 dB，2.4 GHz 时为 25 dB，30 mA\n• 提供精确的 SPICE GP 模型，可实现高效的在制品设计（参见第 6 章）\n• 薄、小、扁平、无铅、无卤素（符合 RoHS 标准）封装，引脚可见;

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Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP

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Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

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