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BFP640F中文资料低噪声RF 管基数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BFP640F

参数属性

BFP640F 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

功能描述

低噪声RF 管基
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

封装外壳

4-SMD,扁平引线

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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BFP640F规格书详情

描述 Description

NPN硅锗射频晶体管

特性 Features

• 高增益低噪声射频晶体管
• 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用
• 高最大稳定增益:Gms = 23 dB (1.8 GHz)
• 70 GHz fT-硅锗技术
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

简介

BFP640F属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFP640F晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BFP640F

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Gmax

    :26.50 dB @900 MHz

  • ICmax

    :50 mA

  • NFmin

    :0.55 dB @900 MHz

  • OIP3

    :27.5 dBm

  • OP1dB

    :13.5 dBm

  • Ptot

    :200 mW

  • VCEOmax

    :4.1 V

  • Package

    :TSFP-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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