BFP640F中文资料低噪声RF 管基数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
BFP640F |
参数属性 | BFP640F 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP |
功能描述 | 低噪声RF 管基 |
封装外壳 | 4-SMD,扁平引线 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-30 22:59:00 |
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BFP640F规格书详情
描述 Description
NPN硅锗射频晶体管
特性 Features
• 高增益低噪声射频晶体管
• 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用
• 高最大稳定增益:Gms = 23 dB (1.8 GHz)
• 70 GHz fT-硅锗技术
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装
简介
BFP640F属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFP640F晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 制造商编号
:BFP640F
- 生产厂家
:Infineon
- Gmax
:26.50 dB @900 MHz
- ICmax
:50 mA
- NFmin
:0.55 dB @900 MHz
- OIP3
:27.5 dBm
- OP1dB
:13.5 dBm
- Ptot
:200 mW
- VCEOmax
:4.1 V
- Package
:TSFP-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
25129 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TSFP4 |
7350 |
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询价 | ||
INFINEON |
2016+ |
SOT-543 |
3000 |
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INFINEON |
25+ |
TSFP-4 |
8000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TSFP-4 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT343 |
20000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TSFP-4 |
14001 |
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询价 | ||
INFINEON |
2016+ |
TSFP-4 |
21879 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TSFP-4 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 |