BFP540F数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
BFP540F |
参数属性 | BFP540F 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP |
功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
封装外壳 | 4-SMD,扁平引线 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
原厂标识 | Infineon |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 12:29:00 |
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BFP540F规格书详情
描述 Description
NPN Silicon RF Transistor•For highest gain low noise amplifier at 1.8 GHz
•Outstanding Gms= 20 dB
Noise Figure F= 0.9 dB
•Gold metallization for high reliability
•SIEGET 45 - Line
简介
BFP540F属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFP540F晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
BFP540FESDH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
5V
- 频率 - 跃迁:
30GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
- 增益:
20dB
- 功率 - 最大值:
250mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 20mA,3.5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
80mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
4-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:
4-TSFP
- 描述:
RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
23+ |
TSFP-4 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
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INFINEON |
2023+ |
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2023+ |
223SMD |
6000 |
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SOT-363 |
17860 |
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