BFP196W中文资料高线性度RF 管基数据手册Infineon规格书

描述 Description

NPN硅射频晶体管

特性 Features

• 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器，频率高达 1.5 GHz，集电极电流为 20 mA 至 80 mA
• fT = 7.5 GHz，F = 1.3 dB @ 900 MHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装

简介

BFP196W属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的BFP196W晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。