BFP183中文资料RF & Wireless Control-Low-Noise Si Transistors up to 2.5 GHz数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
BFP183 |
参数属性 | BFP183 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4 |
功能描述 | RF & Wireless Control-Low-Noise Si Transistors up to 2.5 GHz |
封装外壳 | SC-82A,SOT-343 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 8:03:00 |
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BFP183规格书详情
简介
BFP183属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFP183晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
BFP183WH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
8.5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益:
22dB
- 功率 - 最大值:
450mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 15mA,8V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
65mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:
PG-SOT343-3D
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
23+ |
SOT143 |
8560 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
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SOT-143 |
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INFINEON |
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SOT-143 |
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INFINEON |
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西门子 |
15+ |
SOT-143 |
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SIEMENS |
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SOT143 |
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SIEMENS |
24+ |
SOT-143 |
3000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
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INFINEON |
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SOT143 |
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