BFP182数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
BFP182 |
参数属性 | BFP182 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 |
功能描述 | RF-Bipolar - For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA |
封装外壳 | SC-82A,SOT-343 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 8:01:00 |
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BFP182规格书详情
简介
BFP182属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFP182晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
BFP182WE6327HTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
8GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益:
22dB
- 功率 - 最大值:
250mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 10mA,8V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
35mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:
PG-SOT343-3D
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
JK |
24+ |
SOT143 |
23600 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
infineon |
24+ |
SOT143 |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
询价 | ||
INF |
21+ |
SOT-143 |
51725 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
西门子 |
15+ |
SOT-143 |
6698 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
9250 |
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询价 | ||
INFINEON |
2016+ |
SOT-143 |
3000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SOT143 |
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询价 | ||
INFINEO |
24+ |
SOT-143 |
80000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
INFINEON |
25+ |
SOT143 |
6000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 |