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BFP182W中文资料低噪声RF 管基数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BFP182W

参数属性

BFP182W 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

功能描述

低噪声RF 管基
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

封装外壳

SC-82A,SOT-343

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:34:00

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BFP182W规格书详情

描述 Description

NPN 硅射频晶体管,用于低噪声、高增益宽带放大器,集电极电流为 1 mA 至 20 m

特性 Features

• 适用于低噪声、高增益宽带放大器,集电极电流从 1 mA 到 20 mA
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

简介

BFP182W属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFP182W晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BFP182W

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Gmax

    :15.5 dB @900MHz

  • ICmax

    :35 mA

  • NFmin

    :0.90 dB @900MHz

  • OIP3

    :24 dBm

  • OP1dB

    :5 dBm

  • Ptot

    :250 mW

  • VCEOmax

    :12 V

  • Package

    :SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
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NA/
66250
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