BFP196WN中文资料高线性度RF 管基数据手册Infineon规格书

描述 Description

NPN 硅平面外延晶体管，采用 4 引脚双发射极 SOT343 封装，适用于低噪声和低失真宽带放大器。该射频晶体管受益于英飞凌在射频元件领域的长期经验，结合了易用性和稳定的批量生产，具有基准质量和可靠性。

特性 Features

• 适用于高压应用，VCE < 12 V
• 转换频率 fT = 7.5 GHz
• 易于使用，无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素行业
• 带可见引线的标准 SOT343 封装

简介

BFP196WN属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的BFP196WN晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。