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BFP620F中文资料低噪声RF 管基数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BFP620F

参数属性

BFP620F 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP

功能描述

低噪声RF 管基
RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP

封装外壳

4-SMD,扁平引线

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2026-1-28 22:42:00

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BFP620F规格书详情

特性 Features

• 高增益低噪声射频晶体管
• 小型封装 1.4 x 0.8 x 0.59 毫米
• 1.8 GHz 时具有出色的噪声系数 F = 0.7 dB,6 GHz 时具有出色的噪声系数 F = 1.3 dB
• 最大稳定增益:1.8 GHz 时 Gms = 21 dB,6 GHz 时 Gma = 10 dB
• 镀金处理,可靠性更高
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

简介

BFP620F属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由Infineon制造生产的BFP620F晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BFP620F

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Gmax

    :21 dB @1800 MHz

  • ICmax

    :80 mA

  • NFmin

    :0.70 dB @1800 MHz

  • OIP3

    :25 dBm

  • OP1dB

    :14 dBm

  • Ptot

    :185 mW

  • VCEOmax

    :2.3 V

  • Package

    :TSFP-4

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