BFP620F 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

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厂家型号：
BFP620F
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
20094
产品封装：
NA
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-27 10:46:00

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详细信息
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原厂料号：BFP620F品牌：Infineon(英飞凌)

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BFP620F是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商Infineon(英飞凌)/Infineon Technologies生产封装NA/4-SMD，扁平引线的BFP620F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFP620F
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
内容页数：
10 页
文件大小：
154.82 kb
资料说明：
NPN Silicon Germanium RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFP620FH7764XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
2.8V
频率 - 跃迁：
65GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益：
21dB ~ 10dB
功率 - 最大值：
185mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 50mA，1.5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
4-TSFP
描述：
RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP

供应商

企业：
深圳市正纳电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
杨先生/杨小姐
手机：
15986777949
询价：
电话：
0755-23901175
传真：
0755-83200684
地址：
深圳市福田区振兴路113号新欣大厦B座318

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BFP620F

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