BFP540FESD中文资料低噪声RF 管基数据手册Infineon规格书

描述 Description

用于 ESD 保护高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管

特性 Features

• 出色的 ESD 性能（典型值 1000 V (HBM)）出色的 Gms = 20 dB 噪声系数 F = 0.9 dB
• 无铅（符合 ROHS 标准）封装

简介

BFP540FESD属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的BFP540FESD晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。