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BFP540FESD

NPN Silicon RF Transisto

NPN Silicon RF Transistor* • For ESD protected high gain low noise amplifier • Excellent ESD performance typical value 1000 V (HBM) • Outstanding Gms= 20 dB Noise Figure F= 0.9 dB • SIEGET ® 45 - Line • Pb-free (ROHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 * Short term desc

文件:112.56 Kbytes 页数:5 Pages

Infineon

英飞凌

BFP540FESD

NPN Silicon RF Transistor

文件:504.48 Kbytes 页数:6 Pages

Infineon

英飞凌

BFP540FESD

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

文件:538.44 Kbytes 页数:6 Pages

Infineon

英飞凌

BFP540FESD_10

NPN Silicon RF Transistor

文件:504.48 Kbytes 页数:6 Pages

Infineon

英飞凌

BFP540FESD_13

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

文件:538.44 Kbytes 页数:6 Pages

Infineon

英飞凌

BFP540FESD

低噪声RF 管基

用于 ESD 保护高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管 • 出色的 ESD 性能(典型值 1000 V (HBM))出色的 Gms = 20 dB 噪声系数 F = 0.9 dB\n• 无铅(符合 ROHS 标准)封装;

Infineon

英飞凌

BFP540FESDE6327

Package:4-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP

Infineon

英飞凌

BFP540FESDH6327XTSA1

Package:4-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Gmax:

    20 dB @1800 MHz

  • ICmax:

    80 mA

  • NFmin:

    0.90 dB @1800 MHz

  • OIP3:

    24.5 dBm

  • OP1dB:

    11 dBm

  • Ptot:

    175 mW

  • VCEOmax:

    4.5 V

  • Package:

    TSFP-4

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更多BFP540FESD供应商 更新时间2025-12-11 22:58:00