BFP540FESD分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

BFP540FESD属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP540FESD晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

NPN Silicon RF Transistor*

• For ESD protected high gain low noise amplifier

• Excellent ESD performance typical value 1000 V (HBM)

• Outstanding Gms= 20 dB

Noise Figure F= 0.9 dB

• SIEGET ® 45 - Line

• Pb-free (ROHS compliant) package1)

• Qualified according AEC Q101

* Short term description