BFP540分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFP540 |
| 参数属性 | BFP540 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-343 / SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
159.89 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | INFINEON |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-6 9:03:00 |
| 人工找货 | BFP540价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFP540规格书详情
BFP540属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP540晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
• For highest gain and low noise amplifier
• Outstanding Gms = 21.5 dB at 1.8 GHz Minimum noise figure NFmin = 0.9 dB at 1.8 GHz
• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package with visible leads
• Qualification report according to AEC-Q101 available
产品属性
更多- 产品编号：
BFP540ESDE6327HTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
- 频率 - 跃迁：
30GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
- 增益：
21.5dB
- 功率 - 最大值：
250mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，3.5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装：
PG-SOT343-3D
- 描述：
RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2025+ |
SOT343 |
5000 |
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询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT-343 |
9860 |
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Infineon(英飞凌) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-SOT343-4 |
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Infineon(英飞凌) |
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Infineon(英飞凌) |
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ADI |
23+ |
SOT343 |
7000 |
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