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BFP520F分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BFP520F

参数属性

BFP520F 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP

封装外壳

4-SMD,扁平引线

文件大小

53.16 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 17:38:00

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BFP520F规格书详情

BFP520F属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP520F晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

Product description

The BFP520F is a low noise device based on a grounded emitter (SIEGET™) that is part of Infineon’s established fifth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 45 GHz, high gain and low noise make the device suitable for applications up to 15 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use.

Feature list

• Minimum noise figure NFmin = 0.95 dB at 1.8 GHz, 2 V, 2 mA

• High gain Gms = 22.5 dB at 1.8 GHz, 2 V, 20 mA

• OIP3 = 23.5 dBm at 1.8 GHz, 2 V, 20 mA

Potential applications

• Radio-frequency oscillators such as local oscillator in LNB

• Broadband low noise amplifiers (LNAs) for CATV, DVB-T, DAB/DMB and FM/AM radio

• LNAs for wireless communications such as cordless phones

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFP520FH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    3.5V

  • 频率 - 跃迁:

    45GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.95dB @ 1.8GHz

  • 增益:

    22.5dB

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 20mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    40mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    4-TSFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP

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