BFP540ESD分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

BFP540ESD属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP540ESD晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• For ESD protected high gain low noise amplifier

• High ESD robustness

typical value 1000 V (HBM)

• Outstanding Gms = 21.5 dB @ 1.8 GHz

Minimum noise figure NFmin = 0.9 dB @ 1.8 GHz

• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package

with visible leads

• Qualification report according to AEC-Q101 available