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BFP640FESD	文件：1.64277 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor ProductBrief TheBFP640FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640FESDH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY640	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY640B	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BLV640	文件：438.86 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BRD640	文件：1.18135 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRUS640	文件：58.03 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BS-640-A	文件：419.19 Kbytes Page：1 Pages	Extrusion MidRV	NYLENE nylene	NYLENE
C640	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C640	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET

详细参数

型号：
BFP640FESD
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
RF BIP TRANSISTORS
功能描述：
RF BIP TRANSISTORS - Tape and Reel
功能描述：
TRANS RF NPN 4.5V 50MA 4TSFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市英科美电子有限公司	BFP640FESD	INFINEON/英飞凌	24+	SOT23-3	17814	原装进口假一罚十	询价
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更多BFP640FESD供应商更新时间2025-5-28 16:21:00

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