低噪声RF 管基

BFP640FESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，采用塑料薄小扁平 4 针双发射极封装，带有可见引线。该设备配有内部保护电路，大大增强了对 ESD 和高 RF 输入功率的抵抗能力。该设备结合了坚固性、非常高的射频增益和低工作电流下的最低噪声系数，可用于广泛的无线应用。BFP640FESD 特别适合便携式电池供电应用，因为降低功耗是该类应用的关键要求。设备设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。 • 基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器\n• 最大射频输入功率高达 21 dBm\n• 1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 28.5 dB，2.4 GHz 时为 25 dB，30 mA\n• 提供精确的 SPICE GP 模型，可实现高效的在制品设计（参见第 6 章）\n• 薄、小、扁平、无铅、无卤素（符合 RoHS 标准）封装，引脚可见;

Infineon

英飞凌

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

Product Brief The BFP640FESD is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.1 V and currents up to IC = 50 mA.

文件：1.64277 Mbytes 页数：28 Pages

Infineon

英飞凌

Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

Infineon

英飞凌

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor ● HiRel Discrete and Microwave Semiconductor ● High gain low noise RF transistor ● High maximum stable gain: Gms 24dB at 1.8 GHz ● Noise figure F = 0.8 dB at 1.8 GHz Noise figure F = 1.1 dB at 6 GHz ● Hermetically sealed microwave package

文件：136.06 Kbytes 页数：3 Pages

Infineon

英飞凌

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor ● HiRel Discrete and Microwave Semiconductor ● High gain low noise RF transistor ● High maximum stable gain: Gms 24dB at 1.8 GHz ● Noise figure F = 0.8 dB at 1.8 GHz Noise figure F = 1.1 dB at 6 GHz ● Hermetically sealed microwave package

文件：136.06 Kbytes 页数：3 Pages

Infineon

英飞凌

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：438.86 Kbytes 页数：6 Pages

Belling

上海贝岭