BFP640FESD中文资料低噪声RF 管基数据手册Infineon规格书

描述 Description

BFP640FESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，采用塑料薄小扁平 4 针双发射极封装，带有可见引线。该设备配有内部保护电路，大大增强了对 ESD 和高 RF 输入功率的抵抗能力。该设备结合了坚固性、非常高的射频增益和低工作电流下的最低噪声系数，可用于广泛的无线应用。BFP640FESD 特别适合便携式电池供电应用，因为降低功耗是该类应用的关键要求。设备设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。

特性 Features

• 基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器
• 最大射频输入功率高达 21 dBm
• 1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 28.5 dB，2.4 GHz 时为 25 dB，30 mA
• 提供精确的 SPICE GP 模型，可实现高效的在制品设计（参见第 6 章）
• 薄、小、扁平、无铅、无卤素（符合 RoHS 标准）封装，引脚可见

简介

BFP640FESD属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的BFP640FESD晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。