BFP640F分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFP640F |
| 参数属性 | BFP640F 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP |
| 功能描述 | NPN Silicon Germanium RF Transistor |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
249.33 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 19:55:00 |
| 人工找货 | BFP640F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFP640F规格书详情
BFP640F属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP640F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
BFP640FESDH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
4.7V
- 频率 - 跃迁：
46GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
- 增益：
8B ~ 30.5dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 30mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
4-TSFP
- 描述：
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TSFP-4 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT343 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
INFINEON |
1822+ |
SOT-543 |
6852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TSFP-4 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TSFP-4 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
19+ |
SOT343 |
20000 |
1100 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
NA |
2600 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
Infineon |
24+ |
SMD |
8000 |
射频(RF)双极晶体管 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TSFP-4 |
25630 |
原装正品 |
询价 |
