BFP620F分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

BFP620F属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP620F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

NPN Silicon Germanium RF Transistor*

• High gain low noise RF transistor

• Small package 1.4 x 0.8 x 0.59 mm

• Outstanding noise figure F = 0.7 dB at 1.8 GHz

Outstanding noise figure F = 1.3 dB at 6 GHz

• Maximum stable gain

Gms = 21 dB at 1.8 GHz

Gma = 10 dB at 6 GHz

• Gold metallization for extra high reliability

• Pb-free (RoHS compliant) package1)

• Qualified according AEC Q101

* Short term description