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BFP620分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BFP620

参数属性

BFP620 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP

功能描述

NPN Transistor

封装外壳

4-SMD,扁平引线

文件大小

350.51 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ETC List of Unclassifed Manufacturers

中文名称

未分类制造商

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更新时间

2026-1-26 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BFP620

  • 别名:

    BFP620三极管、BFP620晶体管、BFP620晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    调频 (FM)_调幅 (AM)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.02A

  • 最大工作频率:

    150MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    3DG110C,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-23

  • vtest:

    50

  • htest:

    150000000

  • atest:

    0.02

  • wtest:

    0.3

产品属性

  • 产品编号:

    BFP620FH7764XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    2.8V

  • 频率 - 跃迁:

    65GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

  • 增益:

    21dB ~ 10dB

  • 功率 - 最大值:

    185mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    110 @ 50mA,1.5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    4-TSFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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