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WEITRONSOT23-3

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恩XPSOT323

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承泽电子(北京)有限公司

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BC856BW

GW/唯圣通用双极型晶体管

1516210

2年内

BC856BW原装现货,随到随拿!

深圳市讯顺达科技有限公司

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BC856BW

Slkor/萨科微SOT-323

50000

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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BC856BW

恩XP

10548

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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BC856BW

恩XPN/A

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深圳市力仕科电子科技有限公司

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BC856BWT1G

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onsemi(安森美)SC-70-3

2823

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深圳市米数科技有限公司

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BC856BW,115

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Nexperia(安世)N/A

208868

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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC856BW/SOT323/SC-70

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BC856BWT1G

ON/安森美SOT-323

120000

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深圳市创新迹电子有限公司

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BC856BWT1G

ON/安森美NA

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嘉宏桦电子(深圳)有限公司

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DIODES/美台SOT23-8

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深圳市宇创芯科技有限公司

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BC856BW,115

Nexperia(安世)N/A

12980

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原装正品现货支持实单

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BC856BW-7-F

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BC856BW,115价格

BC856BW,115价格：￥0.0514品牌：恩XP

生产厂家品牌为恩XP的BC856BW,115多少钱，想知道BC856BW,115价格是多少？参考价：￥0.0514。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BC856BW,115批发价格及采购报价，BC856BW,115销售排行榜及行情走势，BC856BW,115报价。

BC856BW-7-F中文资料Alldatasheet PDF

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BC856BW /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC856BW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC856BW T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC856BW,115功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC856BW,135功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC856BW-7功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC856BW-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC856BWE6327BTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR PNP AF 65V SOT-323

BC856BWE6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R

BC856BWE6433XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R

产品属性

  • 产品编号：

    BC856BW

  • 制造商：

    Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    650mV @ 5mA，100mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    220 @ 2mA，5V

  • 频率 - 跃迁：

    100MHz

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    SC-70，SOT-323

  • 供应商器件封装：

    SOT-323

  • 描述：

    TRANS PNP 65V 0.1A SOT323

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