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BFP640ESD	文件：1.88251 Mbytes Page：29 Pages	Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.59951 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640ESD_12	文件：1.59951 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640F	文件：190.83 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor ProductBrief TheBFP640FislinearverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCE=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640F	文件：249.33 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640F	文件：1.4354 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP640FESD	文件：1.64277 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP640FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY640	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFY640B	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BLV640	文件：438.86 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling

详细参数

型号：
BFP640ESD
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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