Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor

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Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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低噪声RF 管基

BFP640ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，采用塑料双发射极标准封装，带有可见引线。该设备配有内部保护电路，大大增强了对 ESD 和高 RF 输入功率的抵抗能力。该设备结合了坚固性、非常高的射频增益和低工作电流下的最低噪声系数，可用于广泛的无线应用。BFP640ESD 特别适合便携式电池供电应用，因为降低功耗是该类应用的关键要求。设备设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。 • 基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器\n• 最大射频输入功率高达 21 dBm\n• 1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 26.5 dB，2.4 GHz 时为 23 dB，30 mA\n• 提供精确的 SPICE GP 模型，可实现高效的在研设计（参见第 6 章）\n• 易于使用，无铅、无卤素（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见;

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