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BFP640ESD中文资料低噪声RF 管基数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BFP640ESD

功能描述

低噪声RF 管基

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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BFP640ESD规格书详情

描述 Description

BFP640ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT),采用塑料双发射极标准封装,带有可见引线。该设备配有内部保护电路,大大增强了对 ESD 和高 RF 输入功率的抵抗能力。该设备结合了坚固性、非常高的射频增益和低工作电流下的最低噪声系数,可用于广泛的无线应用。BFP640ESD 特别适合便携式电池供电应用,因为降低功耗是该类应用的关键要求。设备设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。

特性 Features

• 基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器
• 最大射频输入功率高达 21 dBm
• 1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 26.5 dB,2.4 GHz 时为 23 dB,30 mA
• 提供精确的 SPICE GP 模型,可实现高效的在研设计(参见第 6 章)
• 易于使用,无铅、无卤素(符合 RoHS 标准)标准封装,引脚可见

技术参数

  • 制造商编号

    :BFP640ESD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Gmax

    :28 dB @900 MHz

  • ICmax

    :50 mA

  • NFmin

    :0.60 dB @900 MHz

  • OIP3

    :27 dBm

  • OP1dB

    :12 dBm

  • Ptot

    :200 mW

  • VCEOmax

    :4.1 V

  • Package

    :SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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