BFP640ESD中文资料低噪声RF 管基数据手册Infineon规格书
BFP640ESD规格书详情
描述 Description
BFP640ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT),采用塑料双发射极标准封装,带有可见引线。该设备配有内部保护电路,大大增强了对 ESD 和高 RF 输入功率的抵抗能力。该设备结合了坚固性、非常高的射频增益和低工作电流下的最低噪声系数,可用于广泛的无线应用。BFP640ESD 特别适合便携式电池供电应用,因为降低功耗是该类应用的关键要求。设备设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。
特性 Features
• 基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器
• 最大射频输入功率高达 21 dBm
• 1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 26.5 dB,2.4 GHz 时为 23 dB,30 mA
• 提供精确的 SPICE GP 模型,可实现高效的在研设计(参见第 6 章)
• 易于使用,无铅、无卤素(符合 RoHS 标准)标准封装,引脚可见
技术参数
- 制造商编号
:BFP640ESD
- 生产厂家
:Infineon
- Gmax
:28 dB @900 MHz
- ICmax
:50 mA
- NFmin
:0.60 dB @900 MHz
- OIP3
:27 dBm
- OP1dB
:12 dBm
- Ptot
:200 mW
- VCEOmax
:4.1 V
- Package
:SOT343
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOT343 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
Infineon |
25+ |
SOT343 |
3500 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOT343-4 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon |
20+ |
SOT343 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INFINEON |
14+ |
SOT343 |
6500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SOT343 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
SOT343-4 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2405+ |
n/a |
9845 |
十年芯路!诚信赢客户!合作创未来! |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT343 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 |