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BC847B	文件：80.39 Kbytes Page：10 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BC847B	文件：371.85 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •310mWPowerDissipation •ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856-BC858) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	TRSYS Transys Electronics
BC847B	文件：26.82 Kbytes Page：6 Pages	NPN General Purpose Transistor Features 1)BVCEO	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BC847B	文件：273.96 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) NPNSiliconAFTransistors Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856,BC857,BC859,BC860(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd
BC847B	文件：394.64 Kbytes Page：12 Pages	NPN General Purpose Amplifier Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC849,BC850 •ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BC847B	文件：59.2 Kbytes Page：3 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>45V •IC=100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT3906T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BC847B	文件：60.27 Kbytes Page：3 Pages	NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryPNPTypes:BC856–BC858 •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BC847B	文件：105.72 Kbytes Page：2 Pages	NPN Small Signal Transistor 310mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •PowerDissipation:0.225W(Tamb=25°C)(Note1) •CollectorCurrent:0.1A •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
BC847B	文件：186.57 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors GeneralPurposeTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC847B	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon AF Transistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BC847B	文件：57.75 Kbytes Page：4 Pages	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTORS ■MINIATURESOT-23PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■BC847B-THEPNPCOMPLEMENTARYTYPEISBC857B	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BC847B	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BC847B	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ETL E-Tech Electronics LTD
BC847B	文件：277.22 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor NPN Silicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon MoistureSensitivityLevel:1 ESDRating-HumanBodyModel:>4000V -MachineModel:>400V	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
BC847B	文件：277.86 Kbytes Page：4 Pages	NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryPNPTypesAvailable(BC856-BC858) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BC847B	文件：504.42 Kbytes Page：6 Pages	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
BC847B	文件：126.96 Kbytes Page：3 Pages	0.2 Watts NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features ♦Epitaxialplanardieconstruction ♦Surfacedevicetypemounting ♦Moisturesensitivitylevel1 ♦MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ♦PbfreeversionandRoHScompliant ♦Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondat	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司
BC847B	文件：202.39 Kbytes Page：4 Pages	NPN general purpose Transistor FEATURES •Highcurrentgain. •ExcellenthFElinearity. •Lownoisebetween30Hzand15kHz. •ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
BC847B	文件：164.92 Kbytes Page：3 Pages	SMD General Purpose Transistor (NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforSwitchingandAmplifierApplications	TAITRON TAITRON
BC847B	文件：96.95 Kbytes Page：15 Pages	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinsmallplasticpackages. Features ■Lowcurrent ■Lowvoltage ■Threedifferentgainselections Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

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产品属性

产品编号：
BC847B
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
SOT-23
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC847B供应商更新时间2024-4-26 16:44:00

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