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FQA16N50	文件：438.39 Kbytes Page：8 Pages	OptimizedSwitchforDiscontinuousCurrentModePowerFactorCorrection	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA16N50	文件：362.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQA16N50	文件：754.87 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET Features •16A,500V,RDS(on)=0.32Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical60nC) •LowCrss(typical35pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF16N50	文件：719.3 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF16N50	文件：420.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB16N50K	文件：169.76 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB16N50K	文件：184.45 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFB16N50K	文件：2.71363 Mbytes Page：7 Pages	LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IXFA16N50P	文件：221.5 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiperFETPowerMOSFET PolarHV™HiperFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •FastIntrinsicDiode •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •SpaceSavings Applications •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFA16N50P	文件：331.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFA16N50P	文件：333.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFC16N50P	文件：322.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFC16N50P	文件：208.92 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH16N50P	文件：221.5 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiperFETPowerMOSFET PolarHV™HiperFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •FastIntrinsicDiode •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •SpaceSavings Applications •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH16N50P	文件：337.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH16N50P	文件：331.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP16N50	文件：295.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=400mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP16N50P	文件：221.5 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiperFETPowerMOSFET PolarHV™HiperFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •FastIntrinsicDiode •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •SpaceSavings Applications •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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详细参数

型号：
AOT16N50
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 16A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	AOT16N50	Alpha & Omega Semiconductor In	24+	TO-220	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多AOT16N50供应商更新时间2024-5-20 18:05:00

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