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AOT254L	文件：311.9 Kbytes Page：6 Pages	150V N-Channel MOSFET General Description The AOT254L/AOB254L uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON), Ciss and Coss. This device 文件：311.9 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT254L	文件：303.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：303.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT254L	文件：1.22926 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.22926 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOT254L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 150V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
150
VGS (±V)：
20
10V：
46
4.5V：
53
ID @ 25°C (A)：
32
PD @ 25°C (W)：
125
Qg (10V)(nC)：
27
Qg (4.5V)(nC)：
12
VGS(th) max (V)：
2.70
Ciss (pF)：
2150
Coss (pF)：
110
Crss (pF)：
4
Qgd (nC)：
3
tD(on) (ns)：
9
tD(off) (ns)：
29
Trr (ns)：
51
Qrr (nC)：
434
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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更多AOT254L供应商更新时间2025-10-4 13:23:00

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