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AOT424	文件：114.09 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOT424 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in CPU core power conversion. Standard Product AOT424 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificatio 文件：114.09 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT424	文件：304.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：304.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT424	文件：963.3 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：963.3 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOT424	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOT424L	文件：114.09 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOT424 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in CPU core power conversion. Standard Product AOT424 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificatio 文件：114.09 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Last Time Buy
Package：
TO220
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
20
Id(A)(25℃)：
110
Id(A)(75℃)：
88
Pd(W)(25℃)：
100
Pd(W)(75℃)：
50
Rds (on) mΩ max(20V)：
0
Rds (on) mΩ max(10V)：
4
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
5.5
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
30.4

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